次世代半導体デバイスにおいては、低誘電率や低エッチングレートを実現する新しい誘電材料の開発が求められています。その有力な手法の一つが、窒化ケイ素への炭素導入を可能にする原子層堆積（ALD）プロセスです。

本ウェビナーでは、シュレーディンガーとラム・リサーチのコラボレーション事例を通じて、計算科学（DFT ）と実験（RGA、FTIR）を組み合わせ、最適な前駆体を効率的に選定するアプローチをご紹介します。

理論と実験を連携させることで、プロセスへの理解を深め、材料開発を加速させる具体的な方法を、わかりやすく解説します。

こんな方におすすめです

• 半導体用薄膜材料（SiN、SiCNなど）の開発や、ALD／CVDプロセスに携わる研究者・プロセスエンジニアの方
• 新規前駆体の選定や低温成膜プロセスの最適化に課題を感じている材料開発担当者の方
• 計算科学と実験を組み合わせた研究開発アプローチに関心があり、開発効率の向上を目指している方